AO910擴散硅壓力變送器
一、工作原理
AO910系列擴散硅壓力傳感器系全部采用進口芯片，經(jīng)過精心的結構設計，信號處理和組裝，并按照國家標準和企業(yè)標準，進行測試而生產(chǎn)出來的新一代測量元件。基本原理是利用半導體的壓阻效應和微機械加工技術，在單晶硅片的特定晶向上，用光刻、擴散等半導體工藝制做一惠斯登電橋，形成敏感膜片，當受到外力作用時產(chǎn)生微應變，電阻率發(fā)生變化，使橋臂電阻發(fā)生變化（一對變大一對變小）在激勵電壓信號輸出，經(jīng)過計算機溫度補償、激光調(diào)阻、信號放大等處理手段和嚴格的裝配檢測、標定等工藝，生產(chǎn)出具有標準輸出信號的壓力變送器。
網(wǎng)站產(chǎn)品圖.jpg
二、特點
1、輸出穩(wěn)定靈敏度高
一般應變式傳感器輸出僅為10mv左右，而擴散硅傳感器滿量程輸出為100mv左右，干擾及噪聲等因素影響相對較小，放大電路成本也相應降低，分辨率大大提高。零壓力附近無死區(qū)。
2、精度高，重復性好
擴散硅壓阻式壓力傳感器實現(xiàn)了壓力受感，壓力傳遞力一電轉換由同一元件上實現(xiàn)，無中間轉換環(huán)節(jié)，無壓力滯后，無機械位移變形，保證了極小的重復性和遲滯誤差，和良好的線性度，無蠕變、穩(wěn)定、可靠、壽命長。
3、良好的溫度特性
由于采用了激光調(diào)阻，計算機補償?shù)认冗M技術和巧妙控制擴散濃度，實現(xiàn)滿量程溫度漂移（靈敏度溫度系數(shù)）自補償。克服了半導體晶片本身溫度系數(shù)大的缺陷，使變送器的零位和滿度溫漂達到了較高的水準，拓寬了使用溫區(qū)。
4、適合于危險易爆的領域和場所應用
擴散硅壓力傳感器，變送器具有低電流，低電壓，低功耗的特點，屬于本質安全防爆型產(chǎn)品，并已取得了國家安全防爆機構頒發(fā)的防爆證書。
5、高可靠性與抗干擾性能
產(chǎn)品由于采用了不銹鋼材質與特殊防護結構，和放大電路的防雷擊、抗干擾、抗過壓、過流等一系列保護手段，提高了可靠的密封防腐和抗惡劣工作環(huán)境的能力，完全適合一般工業(yè)現(xiàn)場測量和控制的需要。
網(wǎng)站產(chǎn)品圖.jpg
三、技術參數(shù)
1、技術指標
使用對象
液體、氣體或蒸汽
測量范圍
表壓：0～5KPa～3.5MPa ， 密封表壓：0～7MPa～100MPa
絕壓： 0～20KPa～35MPa ， 負壓：-0.1MPa～2MPa
輸 出
4～20mADC
電 源
12～36VDC
負載特性
4～20mADC二線制
溫度范圍
-40℃～+ 85℃
外殼防護
優(yōu)于IP65
防爆類型
隔爆型dⅡCT6; 本安型iaⅡCT6應外配安全柵
2、性能指標
綜合精度
精度等級：0.1%、0.2%
穩(wěn)定性
優(yōu)于±0.25%FS/3年
溫度影響
-10℃～+ 60℃范圍內(nèi):變化量小于±0.1%/ 10℃(0.1級)
變化量小于±0.15%/ 10℃(0.2級)
-30℃～ -10℃, 60℃～+ 85℃:變化量小于±0.15%/ 10℃(0.1級)
變化量小于±0.20%/ 10℃(0.2級)
振動影響
在任何方向上振動頻率為20-200Hz時，變化量小于±0.02% BFSL
沖擊影響
任何方向100G沖擊11ms后，變化量小于±0.02% BFSL
負載影響
只要輸入變送器的端子電壓高于12V，就無負載影響。
位置影響
安裝位置不影響零點
3、結構指標
結構材料
外殼：不銹鋼或低銅鑄鋁
接觸介質材料與選擇的傳感器類型及采用的密封方式有關
全焊接結構：316L SS
過程連接
標準提供M20×1.5外螺紋
電氣連接
可根據(jù)需要從任何一個出口引出，建議使用φ10工業(yè)電纜作為引線，以便密封.引出接頭可選用通用電纜接頭PG16或M20×1.5，不引線一端用端蓋封住。
網(wǎng)站產(chǎn)品圖.jpg
四、結構尺寸
AO910工業(yè)型擴散硅壓力變送器
1.jpg
AO910X精巧型擴散硅壓力變送器
2.jpg
赫斯曼接頭L≤150
3.jpg
其它引線方式L≤120
4.jpg
AO910Y小型化擴散硅壓力變送器
5.jpg
AO910Z衛(wèi)生型擴散硅壓力變送器(平面膜結構)
6.jpg
7.jpg
網(wǎng)站產(chǎn)品圖.jpg
