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 公司宗旨：【誠信經營】【技術創新】【快速便捷】【客戶至上】【雙贏合作】

 

大家使用的是單向晶閘管，也是人們常說的普通晶閘

可控硅

管，它是由四層半導體材料組成的，有三個PN結，對外有三個電極〔圖2(a）〕：層P型半導體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號〔圖2(b）〕可以看到，它和二極管一樣是一種單方向導電的器件，關鍵是多了一個控制極G，這使它具有與二極管完全不同的工作特性。

以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年，因為它的特性類似于真空閘流管，所以國際上通稱為硅晶體閘流管，簡稱晶閘管T，又因為晶閘管初的在靜止整流方面，所以又被稱之為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR.

在性能上，可控硅不僅具有單向導電性，而且還具有比硅整流元件（俗稱"死硅")更為可貴的可控性.它只有導通和關斷兩種狀態.

可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備，如果超過此功率，因元件開關損耗顯著增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標稱電流應降級使用.

 

提供ASIRobicon（ANSALDO）直流調速裝置（SPDM系列）的各種型號的熔斷器
ANSALDO裝置型號	熔 斷 器	定貨號
SPDM 750 RK	500A/1000V	20652702
SDPM 850 UD - UG - RD	550A/660V	20648501
SDPM 850 UK - RH	550A/1000V	20652701
SDPM 850 RG	550A/1000V	20648401
SDPM 1K1 UD - UG - RD	700A/660V	20648503
SDPM 1K1 RG - RH - UH	700A/1000V	20648403
SDPM 1K2 UK - RK	750A/1250V	21981101
SDPM 1K5 UK - RK	1000A/1000V	20534903
SDPM 1K5 UW - RW	900A/1250V	40781601
SDPM 1K6 UD - UG -RD	1100A/660V	20652801
SDPM 1K6 RG	1100A/1000V	206526
SDPM 1K7 UK	1100A/1000V	206526
SDPM 1K7 RK - RW - UW	1100A/1250V	20650001
SDPM 2K1 UD - UG - RD	1400A/660V	20652803
SDPM 2K1 RG	1400A/1100V	20652402
SDPM 2K2 UK - RK - UW - RW	2×700A/1250V	22073306
SDPM 2K5 UD - RD - UG - RG	2×800A/660V	22152207
SDPM 2K5 RK - UW	2×800A/1250V	22007401
SDPM 2K5 UK - RW	2×800A/1250V	22073307
SDPM 3K1 UD - RD	2×1000A/660V	22152208
SDPM 3K1 UG - RG - RK - UW	2×1000A/1250V	22007404
SDPM 3K1 UK - UW - RW	2×900A/1250V	22007402
SDPM 3K6 UD - RD	2×1250A/660V	22152006
SDPM 3K6 UG - RG - UK - RK - UW	2×1250A/660V	22007403
SDPM 3K6 RW	2×1100A/1250V	20650001
SDPM 4K0 UD - RD	2×1500A/660V	22152004

 

不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結構.見圖1.它有三個PN結（J1、J2、J3），從J1結構的P1層引出陽極A，從N2層引出陰級K，從P2層引出控制極G，所以它是一種四層三端的半導體器件.

可控硅結構示意圖和符號圖

可控硅有多種分類方法。

（一）按關斷、導通及控制方式分類：可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門極關斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。

（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。

（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。

可控硅開關

（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。

（五）按關斷速度分類：可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。

（六）過零觸發-一般是調功，即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發，必須是過零點才觸發，導通可控硅。

（七）非過零觸發-無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發導通可控硅，常見的是移相觸發，即通過改變正弦交流電的導通角（角相位），來改變輸出百分比。