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采用圖7所示的功率放大電路，對(duì)前面產(chǎn)生的輸出特性進(jìn)行放大，電路采用了電流負(fù)反饋的形式，通過(guò)簡(jiǎn)單的調(diào)節(jié)來(lái)跟蹤模擬器的輸出電流。電路設(shè)計(jì)上采用了P 溝道的MOSFET，設(shè)計(jì)成輸入越大，輸出電流越小的形式，這樣整個(gè)電路的輸出電流將隨二極管壓降的增大而減小。當(dāng)所需的輸出功率較大時(shí)，可以采用一組該電路進(jìn)行并聯(lián)，由于MOSFET的負(fù)溫度系數(shù)特性，實(shí)現(xiàn)了輸出時(shí)的自然均流。太陽(yáng)能電池同時(shí)在負(fù)載上并聯(lián)了電容Co，以模擬太陽(yáng)能電池的節(jié)電容。為了保證每個(gè)MOSFET 支路不因短路而發(fā)生故障，需在每個(gè)MOSFET 支路上安裝一定容量的保險(xiǎn)絲，以確保整個(gè)模擬器的安全。太陽(yáng)電池陣模擬器的每個(gè)主陣支路模塊擁有支路輸出、抽頭點(diǎn)輸出和功率地3 個(gè)對(duì)外功率接口端子。
