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LP4407T1G P-MOSFET 內(nèi)置ESD -30V -18A SOP-8 LRC
LP4407T1G P-MOSFET 內(nèi)置ESD -30V -18A SOP-8 LRC
產(chǎn)品價格:¥3(人民幣)
  • 規(guī)格:LP4407T1G-ESD
  • 發(fā)貨地:四川成都市
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    商鋪名稱:四川華芯高工電子有限公司

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              LRC/樂山無線電 LP4407T1G/LP4407 GS間內(nèi)置ESD保護器件,全新原廠原裝中低壓高頻分立式功率器件電子開關(guān)場效應(yīng)管,P型溝道場效應(yīng)管負電壓-30V、-18A、7.5mΩ、P-Channel、貼片式中低壓MOSFET: LP4407T1G/LP4407。Vds電壓:-30V;Id電流:-18A;Rds(on)內(nèi)阻:7.5mΩ;封裝方式:SOP-8;最小包裝數(shù)量:4000pcs/盤-編帶。



              LP4407T1G/LP4407 大芯片中低電壓大電流低內(nèi)阻低漏電的分立式功率整流晶體開關(guān)管本品采用內(nèi)置P型溝道大尺寸芯片,內(nèi)置ESD保護器件,源極漏極多路輸入輸出腳位,,具有適應(yīng)中低電壓低內(nèi)阻損耗高頻高效恢復(fù)快等電氣特性特點。通用于電源、小家電、鋰電池、馬達電機、電動工具、無人機、電器、適配器、充電器、逆變器、充電樁、特種電源、高頻電源、風(fēng)光儲新能源、醫(yī)療設(shè)備、工業(yè)工控等產(chǎn)品電路作電子開關(guān)、控制、整流、放大、鉗位、防反接、防逆回流等作用。


              LP4407T1G/LP4407 P型中低壓場效應(yīng)管MOSFET,以其優(yōu)勢電特性和廣泛的場景應(yīng)用,成為電子設(shè)備性能提升的得力助手。無論是追求能效的電源管理,還是需要穩(wěn)定運行的驅(qū)動電路,都能滿足您的需求。選擇華芯高工電子,選擇踏實安心,讓我們共同助力電子設(shè)備的技術(shù)飛躍!


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