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是一款用于 IGBT 和 MOSFET 的 5.7 kVRMS 增強(qiáng)型隔離柵極驅(qū)動器，具有 2.5A 的拉電流能力和 5A 的灌電流能力。輸入端由 3V 至 5.5V 的單電源供電運行。輸出側(cè)支持的電源電壓范圍為 15V 至 30V。兩路互補(bǔ) CMOS 輸入控制柵極驅(qū)動器輸出狀態(tài)。76ns 的短暫傳播時間保證了對于輸出級的精確控制。

內(nèi)置的去飽和 (DESAT) 故障檢測功能可識別 IGBT 何時處于過載狀態(tài)。當(dāng)檢測到 DESAT 時，柵極驅(qū)動器輸出會被拉低為 VEE2 電勢，從而將 IGBT 立即關(guān)斷。

當(dāng)發(fā)生去飽和故障時，器件會通過隔離隔柵發(fā)送故障信號，以將輸入端的 FLT 輸出拉為低電平并阻斷隔離器的輸入。FLT 的輸出狀態(tài)將被鎖存，可通過 RST 輸入上的低電平有效脈沖復(fù)位。

如果在由雙極輸出電源供電的正常運行期間關(guān)斷 IGBT，輸出電壓會被硬鉗位為 VEE2。如果輸出電源為單極，那么可采用有源米勒鉗位，這種鉗位會在一條低阻抗路徑上灌入米勒電流，從而防止 IGBT 在高電壓瞬態(tài)條件下發(fā)生動態(tài)導(dǎo)通。

當(dāng)發(fā)生去飽和故障時，器件會通過隔離隔柵發(fā)送故障信號，以將輸入端的 FLT 輸出拉為低電平并阻斷隔離器的輸入。FLT 的輸出狀態(tài)將被鎖存，可通過 RST 輸入上的低電平有效脈沖復(fù)位。

如果在由雙極輸出電源供電的正常運行期間關(guān)斷 IGBT，輸出電壓會被硬鉗位為 VEE2。如果輸出電源為單極，那么可采用有源米勒鉗位，這種鉗位會在一條低阻抗路徑上灌入米勒電流，從而防止 IGBT 在高電壓瞬態(tài)條件下發(fā)生動態(tài)導(dǎo)通。

柵極驅(qū)動器是否準(zhǔn)備就緒待運行由兩個欠壓鎖定電路控制，這兩個電路會監(jiān)視輸入端和輸出端的電源。如果任意一端電源不足，RDY 輸出會變?yōu)榈碗娖剑环駝t，該輸出為高電平。

ISO5851 采用 16 引腳小外形尺寸集成電路 (SOIC) 封裝。此器件的額定工作環(huán)境溫度范圍為 -40°C 至 +125°C。

• ●在 VCM = 1500V 時，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI) 的最小值為 100kV/μs
• ●2.5A 峰值拉電流和 5A 峰值灌電流
• ●短暫傳播延遲：76ns（典型值），110ns（最大值）
• ●2A 有源米勒鉗位
• ●輸出短路鉗位
• ●在檢測到去飽和故障時通過 FLT 發(fā)出故障報警并通過 RST 復(fù)位
• ●具有就緒 (RDY) 引腳指示的輸入和輸出欠壓鎖定 (UVLO)
• ●有源輸出下拉特性，在低電源或輸入懸空的情況下默認(rèn)輸出低電平
• ●3V 至 5.5V 輸入電源電壓
• ●15V 至 30V 輸出驅(qū)動器電源電壓
• ●互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 兼容輸入
• ●抑制短于 20ns 的輸入脈沖和瞬態(tài)噪聲
• ●工作環(huán)境溫度范圍：-40°C 至 +125°C
• ●可承受的浪涌隔離電壓達(dá) 12800VPK”
• ●安全相關(guān)認(rèn)證：
  • 符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 標(biāo)準(zhǔn)的 8000 VPK VIOTM 和 2121 VPK VIORM 增強(qiáng)型隔離
  • 符合 UL 1577 標(biāo)準(zhǔn)且長達(dá) 1 分鐘的 5700 VRMS 隔離
  • CSA 組件驗收通知 5A、IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 終端設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)
  • 符合 EN 61010-1 和 EN 60950-1 標(biāo)準(zhǔn)的 TUV 認(rèn)證
  • GB4943.1-2011 CQC 認(rèn)證