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NP4N10MR-G南麟100V N溝道增強型MOSFET
NP4N10MR-G南麟100V N溝道增強型MOSFET
NP4N10MR-G南麟100V N溝道增強型MOSFET
描述
NP4N10MR采用先進的溝槽技術
提供出色的RDS（ON）、低柵極電荷和高
超低導通電阻密度電池設計。這
該裝置適合用作負載開關或PWM
應用。
一般特征
? VDS=100V，ID=4A RDS（開）（典型值）=110m? @VGS=10V
RDS（開）（典型值）=150m? @VGS=4.5V
? 高功率和電流處理能力
? 獲得無鉛產品
? 表面貼裝封裝
應用
? PWM應用
? 負荷開關
包裹
? SOT-23-3L
示意圖
D G S
標記和針腳分配
