.jpg "FS50R12KE3集成電路、處理器、微控制器英飛凌\/Infineon批次21")
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| 產品參數 | |||
|---|---|---|---|
| FS50R12KE3 集成電路、處理器、微控制器 英飛凌/Infineon 批次21 品牌 | 英飛凌 | ||
| 批號 | 21 | ||
| 數量 | 10000 | ||
| 制造商 | Infineon | ||
| 產品種類 | IGBT 模塊 | ||
| RoHS | 是 | ||
| 配置 | Hex | ||
| 集電極—射極飽和電壓 | 1.7 V | ||
| 在25 C的連續集電極電流 | 75 A | ||
| 柵極—射極漏泄電流 | 400 nA | ||
| Pd-功率耗散 | 270 W | ||
| 封裝 / 箱體 | EconoPACK 2 | ||
| 最小工作溫度 | - 40 C | ||
| 最大工作溫度 | 125 C | ||
| 高度 | 17 mm | ||
| 長度 | 107.5 mm | ||
| 寬度 | 45 mm | ||
| 安裝風格 | Chassis Mount | ||
| 柵極/發射極最大電壓 | 20 V | ||
| 零件號別名 | FS50R12KE3BOSA1 SP000100413 FS50R12KE3BOSA1 | ||
| 單位重量 | 180 g | ||
| 可售賣地 | 全國 | ||
| 型號 | FS50R12KE3 | ||
| 品牌： | 英飛凌/Infineon |
| 型號： | FS50R12KE3 |
| 批號： | 21 |
| 數量： | 10000 |
| 制造商： | Infineon |
| 產品種類： | IGBT 模塊 |
| RoHS： | 是 |
| 配置： | Hex |
| 集電極—發射極最大電壓 VCEO： | 1200 V |
| 集電極—射極飽和電壓： | 1.7 V |
| 在25 C的連續集電極電流： | 75 A |
| 柵極—射極漏泄電流： | 400 nA |
| Pd-功率耗散： | 270 W |
| 封裝 / 箱體： | EconoPACK 2 |
| 最小工作溫度： | - 40 C |
| 最大工作溫度： | 125 C |
| 高度： | 17 mm |
| 長度： | 107.5 mm |
| 寬度： | 45 mm |
| 安裝風格： | Chassis Mount |
| 柵極/發射極最大電壓： | 20 V |
| 零件號別名： | FS50R12KE3BOSA1 SP000100413 FS50R12KE3BOSA1 |
| 單位重量： | 180 g |
