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Infineon有8種IGBT芯片供客戶選擇。IGBT命名方式中，能體現IGBT芯片的年代。Infineon目前共有5代IGBT：代和代采用老命名方式，一般為BSM**GB**DLC或者BSM**GB**DN2。代IGBT開始，采用新的命名方式。命名的后綴為：T3，E3，P3。IGBT命名的后綴為：T4，S4，E4，P4。第五代IGBT命名后綴為5。大家選擇的時候，盡量選擇一代的IGBT，芯片技術有所改進，IGBT的內核溫度將有很大的提升。第三代IGBT能耐150度的極限高溫。第四代IGBT能耐175度的極限高溫。第五代據說能耐200度的極限高溫。補充：是極限高溫，不是正常工作的溫度。
各代的IGBT芯片都有自己適合工作的開關頻率，不能亂選型。具體如下：
后綴類型
開關頻率(KHz)
飽和壓降(V)
DLC
1 KHz ~8 KHz
2.10V
DN2
10 KHz ~20KHz
2.50V
S4
15 KHz ~30KHz
3.20V
E3
1 KHz ~10 KHz
1.70V
T3
8 KHz ~15KHz
1.70V
P4
1 KHz ~8 KHz
1.75V
E4
1 KHz ~12 KHz
1.75V
T4
8 KHz ~20KHz
1.75V
IGBT的“損耗”包括“導通損耗”和“開關損耗”。飽和壓降只決定“導通損耗”。而“開關損耗”則由IGBT芯片本身決定。當開關頻率很高時：導通的時間相對于很短，所以，導通損耗只能占一小部分。而絕大部分的損耗則是由“開關損耗”決定的。而S4芯片，優化了“開關損耗”，使其減少。達到“損耗”總體減少的目標。這個也是為低開關頻率的IGBT芯片，為何飽和壓降小的原因。低開關頻率，“損耗”就主要由“導通損耗”決定了，所以，需要降低飽和壓降。

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