AB羅克韋爾1769-OB16模塊
事實上，物聯(lián)網(wǎng)的設(shè)備可以分為三種。無需移動性，大數(shù)據(jù)量（上行），需較寬頻段，比如小區(qū)監(jiān)控；2.移動性強(qiáng)，需執(zhí)行頻繁切換，小數(shù)據(jù)量，比如車隊追蹤管理；3.無需移動性，小數(shù)據(jù)量，對時延不敏感，比如智能抄表。NB-IoT優(yōu)勢特點NB-IoT就是針對第三種應(yīng)用場合而設(shè)計的，其主要優(yōu)勢十分明顯。強(qiáng)鏈接：在同一基站的情況下，NB-IoT可以比現(xiàn)有無線技術(shù)提供50-100倍的接入數(shù)。一個扇區(qū)能夠支持10萬個連接，支持低延時敏感度、超低的設(shè)備成本、低設(shè)備功耗和優(yōu)化的網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)。
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LED日光燈電源發(fā)熱到一定程度會導(dǎo)致燒壞，關(guān)于這個問題，也見到過有人在行業(yè)論壇發(fā)過貼討論過。本文將從芯片發(fā)熱、功率管發(fā)熱、工作頻率降頻、電感或者變壓器的選擇、LED電流大小等方面討論LED日光燈電源發(fā)熱燒壞MOS管技術(shù)。芯片發(fā)熱本次內(nèi)容主要針對內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當(dāng)然會引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動芯片的電流來自于驅(qū)動功率MOS管的消耗，簡單的計算公式為I=cvf（考慮充電的電阻效益，實際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導(dǎo)通時的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低v和f.如果v和f不能改變，那么請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。
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CANFD的數(shù)據(jù)段更可靠的CRC校驗和額外的控制位在傳統(tǒng)的CAN2.0中，由于填充規(guī)則會對CRC產(chǎn)生干擾，在CANFD中升級了算法，將填充位加入多項式的運(yùn)算，主要作為格式檢查，考慮數(shù)據(jù)長度變化的區(qū)間很大，CRC也根據(jù)區(qū)間會生成兩種校驗算法，當(dāng)幀長小于210位，使用CRC_17，當(dāng)幀長小于1023位，使用CRC_21位算法。可靠的CRC校驗另外在CANFD中利用了部分保留標(biāo)志位，新增三種控制位，包括EDL（是否是CANFD幀）、BRS（是否可變速率）以及ESI（錯誤狀態(tài)），豐富幀內(nèi)的有用信息。
