和Windows中都提供了EMM386.EXE。
擴(kuò)展內(nèi)存
我們知道，286有24位地址線，它可尋址16MB的地址空間，而386有32位地址線，它可尋址高達(dá)4GB的地址空間，為了區(qū)別起見，我們把1MB以上的地址空間稱為擴(kuò)展內(nèi)存XMS（eXtend memory）。
擴(kuò)展內(nèi)存圖解
擴(kuò)展內(nèi)存圖解
在386以上檔次的微機(jī)中，有兩種存儲(chǔ)器工作方式，一種稱為實(shí)地址方式或?qū)嵎绞剑硪环N稱為保護(hù)方式。在實(shí)方式下，物理地址仍使用20位，所以最大尋址空間為1MB，以便與8086兼容。保護(hù)方式采用32位物理地址，尋址范圍可達(dá)4GB。DOS系統(tǒng)在實(shí)方式下工作，它管理的內(nèi)存空間仍為1MB，因此它不能直接使用擴(kuò)展存儲(chǔ)器。為此，Lotus、Intel、AST及Microsoft公司建立了MS－DOS下擴(kuò)展內(nèi)存的使用標(biāo)準(zhǔn)，即擴(kuò)展內(nèi)存規(guī)范XMS。我們常在Config.sys文件中看到的Himem.sys就是管理擴(kuò)展內(nèi)存的驅(qū)動(dòng)程序。
擴(kuò)展內(nèi)存管理規(guī)范的出現(xiàn)遲于擴(kuò)充內(nèi)存管理規(guī)范。
高端內(nèi)存區(qū)
在實(shí)方式下，內(nèi)存單元的地址可記為：
段地址：段內(nèi)偏移
高端內(nèi)存
高端內(nèi)存
通常用十六進(jìn)制寫為XXXX：XXXX。實(shí)際的物理地址由段地址左移4位再和段內(nèi)偏移相加而成。若地址各位均為1時(shí)，即為FFFF：FFFF。其實(shí)際物理地址為：FFF0+FFFF=10FFEF，約為1088KB（少16字節(jié)），這已超過(guò)1MB范圍進(jìn)入擴(kuò)展內(nèi)存了。這個(gè)進(jìn)入擴(kuò)展內(nèi)存的區(qū)域約為64KB，是1MB以上空間的第一個(gè)64KB。我們把它稱為高端內(nèi)存區(qū)HMA（High Memory Area）。HMA的物理存儲(chǔ)器是由擴(kuò)展存儲(chǔ)器取得的。因此要使用HMA，必須要有物理的擴(kuò)展存儲(chǔ)器存在。此外HMA的建立和使用還需要XMS驅(qū)動(dòng)程序HIMEM.SYS的支持，因此只有裝入了HIMEM.SYS之后才能使用HMA。
上位內(nèi)存
為了解釋上位內(nèi)存的概念，我們還得回過(guò)頭看看保留內(nèi)存區(qū)。保留內(nèi)存區(qū)是指640KB～1024KB（共384KB）區(qū)域。這部分區(qū)域在PC誕生之初就明確是保留給系統(tǒng)使用的，用戶程序無(wú)法插足。但這部分空間并沒有充分使用，因此大家都想對(duì)剩余的部分打主意，分一塊地址空間（注意：是地址空間，而不是物理存儲(chǔ)器）來(lái)使用。于是就得到了又一塊內(nèi)存區(qū)域UMB。
UMB（Upper Memory Blocks）稱為上位內(nèi)存或上位內(nèi)存塊。它是由擠占保留內(nèi)存中剩余未用的空間而產(chǎn)生的，它的物理存儲(chǔ)器仍然取自物理的擴(kuò)展存儲(chǔ)器，它的管理驅(qū)動(dòng)程序是EMS驅(qū)動(dòng)程序。
影子內(nèi)存
對(duì)于細(xì)心的讀者，可能還會(huì)發(fā)現(xiàn)一個(gè)問(wèn)題：即是對(duì)于裝有1MB或1MB以上物理存儲(chǔ)器的機(jī)器，其640KB～1024KB這部分物理存儲(chǔ)器如何使用的問(wèn)題。由于這部分地址空間已分配為系統(tǒng)使用，所以不能再重復(fù)使
內(nèi)存
內(nèi)存
用。為了利用這部分物理存儲(chǔ)器，在某些386系統(tǒng)中，提供了一個(gè)重定位功能，即把這部分物理存儲(chǔ)器的地址重定位為1024KB～1408KB。這樣，這部分物理存儲(chǔ)器就變成了擴(kuò)展存儲(chǔ)器，當(dāng)然可以使用了。但這種重定位功能在當(dāng)今高檔機(jī)器中不再使用，而把這部分物理存儲(chǔ)器保留作為Shadow存儲(chǔ)器。Shadow存儲(chǔ)器可以占據(jù)的地址空間與對(duì)應(yīng)的ROM是相同的。Shadow由RAM組成，其速度大大高于ROM。當(dāng)把ROM中的內(nèi)容（各種BIOS程序）裝入相同地址的Shadow RAM中，就可以從RAM中訪問(wèn)BIOS，而不必再訪問(wèn)ROM。這樣將大大提高系統(tǒng)性能。因此在設(shè)置CMOS參數(shù)時(shí)，應(yīng)將相應(yīng)的Shadow區(qū)設(shè)為允許使用（Enabled）。
奇偶校驗(yàn)
奇/偶校驗(yàn)（ECC）是數(shù)據(jù)傳送時(shí)采用的一種校正數(shù)據(jù)錯(cuò)誤的一種方式，分為奇校驗(yàn)和偶校驗(yàn)兩種。
如果是采用奇校驗(yàn)，在傳送每一個(gè)字節(jié)的時(shí)候另外附加一位作為校驗(yàn)位，當(dāng)實(shí)際數(shù)據(jù)中“1”的個(gè)數(shù)為偶數(shù)的時(shí)候，這個(gè)校驗(yàn)位就是“1”，否則這個(gè)校驗(yàn)位就是“0”，這樣就可以保證傳送數(shù)據(jù)滿足奇校驗(yàn)的要求。在接收方收到數(shù)據(jù)時(shí)，將按照奇校驗(yàn)的要求檢測(cè)數(shù)據(jù)中“1”的個(gè)數(shù)，如果是奇數(shù)，表示傳送正確，否則表示傳送錯(cuò)誤。
同理偶校驗(yàn)的過(guò)程和奇校驗(yàn)的過(guò)程一樣，只是檢測(cè)數(shù)據(jù)中“1”的個(gè)數(shù)為偶數(shù)。
CL延遲
CL反應(yīng)時(shí)間是衡定內(nèi)存的另一個(gè)標(biāo)志。CL是CAS Latency的縮寫，指的是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時(shí)間，簡(jiǎn)單的說(shuō)，就是內(nèi)存接到CPU的指令后的反應(yīng)速度。一般的參數(shù)值是2和3兩種。數(shù)字越小，代表反應(yīng)所需的時(shí)間越短。在早期的PC133內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)中，這個(gè)數(shù)值規(guī)定為3，而在Intel重新制訂的新規(guī)范中，強(qiáng)制要求CL的反應(yīng)時(shí)間必須為2，這樣在一定程度上，對(duì)于內(nèi)存廠商的芯片及PCB的組裝工藝要求相對(duì)較高，同時(shí)也保證了更優(yōu)秀的品質(zhì)。因
內(nèi)存
內(nèi)存
此在選購(gòu)品牌內(nèi)存時(shí)，這是一個(gè)不可不察的因素。
還有另的詮釋：內(nèi)存延遲基本上可以解釋成是系統(tǒng)進(jìn)入數(shù)據(jù)進(jìn)行存取操作就序狀態(tài)前等待內(nèi)存響應(yīng)的時(shí)間。打個(gè)形象的比喻，就像你在餐館里用餐的過(guò)程一樣。你首先要點(diǎn)菜，然后就等待服務(wù)員給你上菜。同樣的道理，內(nèi)存延遲時(shí)間設(shè)置的越短，電腦從內(nèi)存中讀取數(shù)據(jù)的速度也就越快，進(jìn)而電腦其他的性能也就越高。這條規(guī)則雙雙適用于基于英特爾以及AMD處理器的系統(tǒng)中。由于沒有比2-2-2-5更低的延遲，因此國(guó)際內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)組織認(rèn)為以現(xiàn)在的動(dòng)態(tài)內(nèi)存技術(shù)還無(wú)法實(shí)現(xiàn)0或者1的延遲。
通常情況下，我們用4個(gè)連著的阿拉伯?dāng)?shù)字來(lái)表示一個(gè)內(nèi)存延遲，例如2-2-2-5。其中，第一個(gè)數(shù)字最為重要，它表示的是CAS Latency，也就是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時(shí)間。第二個(gè)數(shù)字表示的是RAS-CAS延遲，接下來(lái)的兩個(gè)數(shù)字分別表示的是RAS預(yù)充電時(shí)間和Act-to-Precharge延遲。而第四個(gè)數(shù)字一般而言是它們中間最大的一個(gè)。
總結(jié)
經(jīng)過(guò)上面分析，內(nèi)存儲(chǔ)器的劃分可歸納如下：
●基本內(nèi)存占據(jù)0～640KB地址空間。
●保留內(nèi)存占據(jù)640KB～1024KB地址空間。分配給
