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西門子6ES7134-4GB10-0AB0
2AI, I, ST, 4-WIRE
西門子6ES7134-4GB10-0AB0
變頻器設(shè)置較高的脈沖頻率所帶來的好處有：
較高脈沖頻率可以獲得更高的輸出頻率
對于驅(qū)動特定電機不需要降容，例如1FW力矩電機、SIMOTICS FD電機
某些特定應(yīng)用例如等時同步通訊可以不降容或者少降容，例如等時同步模式需要電流環(huán)掃描周期為125 μs或其整數(shù)倍
在變頻驅(qū)動系統(tǒng)中，可降低電機的電磁噪聲，同時有助于減小IGBT開關(guān)噪聲
S120 Chassis-2的脈沖調(diào)制頻率出廠默認(rèn)為2.5 kHz，相較于現(xiàn)在的S120 Chassis-1提高了一倍，這樣獲得提高脈沖頻率帶來的優(yōu)勢，又極大減小降容帶來的影響。
在自由負(fù)載周期中，負(fù)載電流周期性的變化將導(dǎo)致IGBT芯片溫度升高及溫度波動，從而減少IGBT的使用壽命。為減少溫升和溫度變化對IGBT的影響，需要減小負(fù)載電流，進(jìn)行一定的裝置降容。降容系數(shù)kIGBT是短時電流和基本負(fù)載電流的比值ΔI與負(fù)載循環(huán)周期T的函數(shù)，對于現(xiàn)有的SINAMICS G130，G150和S120，不同額定功率的裝置共有三種不同的降容特性曲線，具體信息可以參考推文“自由負(fù)載周期的降容kIGBT的計算”。S120 Chassis-2由于采用了統(tǒng)一的新型IGBT設(shè)計及新型的冷卻技術(shù)，將三種不同的降容特性曲線歸為一種，降容的值與S120 Chassis-1相比減小了一半，不僅工程設(shè)計上更簡化，而且可以給客戶提供更加經(jīng)濟(jì)的解決方案。
