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碳化硅的長期運行可靠性是目前業內關注的核心問題之一。由于寬禁帶半導體器件本身的特性，如大量的界面問題導致的閾值電壓漂移問題，傳統的基于硅器件的失效模型已無法充分覆蓋碳化硅的情況；研究表明需要采取動態的老化測試手段來進行評估。
針對SiC分立器件和模塊，廣電計量參照JEDEC、AECQ101及AQG324標準進行檢測驗證，能力不僅覆蓋用于驗證傳統Si器件長期穩定性的所有方法，還開發了針對SiC器件不同運行模式的特定試驗，在較短時間內了解功率器件的老化特性，見表1。
表1 SiC器件/模塊特定可靠性試驗
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試驗 |
試驗條件 |
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HV-H3TRB |
VDS=0.8VDSmax，Ta=85°C, RH=85%，t≥1000h |
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高溫高濕反偏測試HTRB |
VDS=VDSmax，Tvj=175°C，VG =-10 V，t≥1000h |
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動態高溫高濕反偏測試H3TRB |
VDS>0.5VDSmax，dVDS/dt(at DUT)>30V/ns, 15kHz≤f≤25 kHz,Ta=85°C, RH = 85%，t≥1000h |
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動態反向偏壓（DRB） |
VDS≥0.8VDSmax，dVDS/dt (at DUT)=50V/ns，f ≥25 kHz，Ta= 25°C，t≥1000h |
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動態柵偏（DGS） |
VGS = +22 to -8 f = 20 kHz, 10% duty cycle, VDS = 0, Tj=175 |
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動態HTGB |
Ta=25℃；VDS=0V;dVGS/dt=1V/ns; f=100kHz;VGS=-4V/21V; 10^11cycles； |
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動態高溫正向偏壓測試HTFB |
SiC體二極管雙極退化 |
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試驗咨詢：鐘工 150-1416-6472 |
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