Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 技術參數
|
Φ4 inch X 12片 |
基片尺寸 |
Φ4 inch X 12片 Φ5 inch X 10片 Φ6 inch X 8片 |
|
均勻性 |
±5% |
|
|
硅片刻蝕率 |
20 nm/min |
|
|
樣品臺 |
直接冷卻,水冷 |
|
|
離子源 |
Φ20cm 考夫曼離子源 |
Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-J 的核心構件離子源采用的是伯東公司代理美國 考夫曼博士創立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP220
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術參數:
|
離子源型號 |
RFICP 220 |
|
Discharge |
RFICP 射頻 |
|
離子束流 |
>800 mA |
|
離子動能 |
100-1200 V |
|
柵極直徑 |
20 cm Φ |
|
離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
|
流量 |
10-40 sccm |
|
通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
|
典型壓力 |
< 0.5m Torr |
|
中和器 |
LFN 2000 |
推薦 Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 理由:
1. 客戶要求規模化生產, Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 適合大規模量產使用
2. 刻蝕均勻性 5%, 滿足客戶要求
3. 硅片刻蝕率 20 nm/min
若您需要進一步的了解詳細產品信息或討論 , 請參考以下聯絡方式 :
上海伯東 : 羅先生 臺灣伯東 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw
伯東版權所有, 翻拷必究！
