一﹑山西全銅SYV75-2-1*8芯同軸電纜國標純銅八芯同軸電纜產品用途及特點
本產品適用于modbus等同性設備做數據信號傳輸。
二﹑執行標準
參照UL AWM 2919文件
三、山西全銅SYV75-2-1*8芯同軸電纜國標純銅八芯同軸電纜使用特性
1.電纜長期使用溫度：-40～70℃
2.Z低環境溫度：固定敷設-40℃非固定敷設-15℃。
3.電纜敷設溫度： 不低于0℃
4. modbus通訊電纜型電纜彎曲半徑應不小于電纜直徑的10倍。
四、山西全銅SYV75-2-1*8芯同軸電纜國標純銅八芯同軸電纜型號、名稱及用途
型號：modbus
規格：1對截面積22AWG（0.35平方）
名稱：聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套modbus通訊電纜
用途：用于modbus等同性設備做數據信號傳輸，使用移動或固定敷設
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項目 |
單位 |
0.35 mm2 |
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20℃時導體直流電阻不大于 |
Ω/km |
57.5 |
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電纜工作電容不大于 |
pf/km |
60 |
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特性阻抗 |
Ω |
120Ω |
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耐交流工頻電壓 |
KV/min |
1.5KV/5min |
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電纜電感不大于 |
uH/km |
800 |
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遠端串音衰減 |
dB/km |
70 |
五、產品主要技術指標
六、電纜規格
六、電纜尺寸
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規格 芯數×截面積 mm2 |
導體結構 根數/直徑 |
絕緣標稱厚度 mm |
線芯顏色 |
導體絕緣外徑 mm |
電纜參考外徑 mm |
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1×2×0.35 |
7/0.25 |
0.2 |
白-蘭 |
1.15 |
6 |
七、產品結構
1、產品結構描速：特性阻抗120歐姆，導體為2芯鍍錫電解銅絲絞合而成，分色絕緣宜于安裝識別，鋁塑復合膜100%覆蓋+鍍錫銅絲90%覆蓋共二重屏蔽，附加獨立多股絞合鍍錫銅絲接地導體（7/0.2），灰色聚氯乙烯護套
2、產品結構示意圖
1----------------------------------線芯
2----------------------------------聚乙烯絕緣層
3----------------------------------對絞組
4-----------------------------------多股絞合鍍錫銅絲接地導體（7/0.2）
5---------------------------------------------------------鋁箔繞包屏蔽
6----------------------------------------------------------鍍錫編織屏蔽
7-----------------------------------------------------------工業灰色聚氯乙烯護套
九、技術要求
導體
導體表面應光潔、無油污、無損傷絕緣的毛刺、銳邊以及凸起或斷裂的單線。
20℃時電纜導體的直流電阻應符合技術指標的要求。
絕緣
絕緣采用低密度聚乙烯電纜料
絕緣應緊密擠包在導體上，且應容易剝落而不損傷導體。絕緣表面應光滑，色澤均勻，不應有裂縫及其他損傷。絕緣標稱厚度應符合下表規定。絕緣厚度的平均值應不小于標稱值，其Z薄處厚度應不小于標稱值的90%~0.1mm。
絕緣性能要求
絕緣線芯在20℃時絕緣電阻應不小于5000MΩ·km。
纜芯
2芯線芯應采用對絞，絞合節距為30-60mm
隔離帶
隔離帶采用耐高溫聚脂膜重疊繞包。繞包帶應扎緊，其重疊部分應不小于帶寬的20%，Z小不得低于3mm。
編織屏蔽
鍍錫圓銅線編織屏蔽其編織密度應不小于90%。編織用圓銅線的標稱直徑應為0.12。
屏蔽層不允許整體接續，露出的銅線頭應修齊。每1米長度上允許更換金屬線錠一次。
山西全銅SYV75-2-1*8芯同軸電纜國標純銅八芯同軸電纜
外護套
采用灰色聚氯乙烯電纜料。
外護套應緊密擠包在纜芯、屏蔽層上，且應容易剝離而不損傷絕緣、內護層、屏蔽層。外護套表面應平整，色澤均勻，無裂縫、氣泡、夾雜或其他機械損傷。
外護套的標稱厚度應符合標準中規定。
外護套的平均厚度值應不小于規定的標稱值，Z薄點厚度應不小于標稱值的85%~0.1mm。
成品電纜
電纜導電線芯不得有斷線、對間連電、混線現象。
電纜工作對的直流電阻差應不大于環阻的2%。
耐交流電壓性能：電纜絕緣線芯間及絕緣線芯與屏蔽間應能經受歷時 2min、1kv交流電壓的試驗，不允許有擊穿和閃絡現象。
交貨長度：
① 電纜交貨長度應不小于200m；
② 用戶對供貨長度有特殊要求時，可根據雙方協議長度交貨。
可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種，都是三個電極。單向可控硅有陰極（K）、陽極（A）、控制極（G）。雙向可控硅等效于兩只單項可控硅反向并聯而成。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連，其引出端稱T2極，其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連，其引出端稱T2極，剩下則為控制極。單、雙向可控硅的判別：先任測兩個極，若正、反測指針均不動（R×1擋），可能是K或A極（對單向可控硅）也可能是TT1或TG極（對雙向可控硅）。光電二極管也是由半導體PN結構成的。PN結受到光照射后，也能產生電子和空穴對，在半導體中增加了少數載流子的數量，這些載流子在反向偏置時，就形成漂移電流，使反向電流增大，光照強度不同，反向電流的大小也不同。所以電路中的電流將隨光照的強弱而改變，這樣的二極管稱為光電二極管。可以用它制作光控元件，其符號如下圖所示。常見的太陽能電池也是光電管的一種，太陽能電池不需要外加電源，它能夠直接將光能轉變成電能。下表所示的是2CU型兩種硅光電管的參數。