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    DDR DRAM, 128MX16 MT41K128M16JT-125:K
    發(fā)布者:深圳市裕碩科技有限公司  發(fā)布時間:2022-11-24 10:37:25  訪問次數(shù):159

    DDR DRAM, 128MX16 MT41K128M16JT-125:K詳細參數(shù)

    參數(shù)名稱 參數(shù)值
    是否無鉛 不含鉛 不含鉛
    是否Rohs認證 符合 符合
    生命周期 Active
    Objectid 1080675828
    零件包裝代碼 BGA
    包裝說明 TFBGA, BGA96,9X16,32
    針數(shù) 96
    Reach Compliance Code compliant
    ECCN代碼 EAR99
    HTS代碼 8542.32.00.36
    Factory Lead Time 15 weeks 6 days
    風險等級 0.81
    Samacsys Description SDRAM - DDR3L Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 800MHz 13.75ns 96-FBGA (8x14)
    Samacsys Manufacturer Micron
    Samacsys Modified On 2022-06-14 06:31:57
    YTEOL 5.1
    訪問模式 MULTI BANK PAGE BURST
    最長訪問時間 0.225 ns
    其他特性 AUTO/SELF REFRESH
    時鐘頻率 (fCLK) 800 MHz
    I/O 類型 COMMON
    交錯的突發(fā)長度 8
    JESD-30 代碼 R-PBGA-B96
    JESD-609代碼 e1
    長度 14 mm
    內(nèi)存密度 2147483648 bit
    內(nèi)存集成電路類型 DDR3L DRAM
    內(nèi)存寬度 16
    功能數(shù)量 1
    端口數(shù)量 1
    端子數(shù)量 96
    字數(shù) 134217728 words
    字數(shù)代碼 128000000
    工作模式 SYNCHRONOUS
    工作溫度 95 °C
    工作溫度
    組織 128MX16
    輸出特性 3-STATE
    封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
    封裝代碼 TFBGA
    封裝等效代碼 BGA96,9X16,32
    封裝形狀 RECTANGULAR
    封裝形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
    峰值回流溫度(攝氏度) 260
    電源 1.35 V
    認證狀態(tài) Not Qualified
    刷新周期 8192
    座面高度 1.2 mm
    自我刷新 YES
    連續(xù)突發(fā)長度 8
    待機電流 0.012 A
    子類別 DRAMs
    壓擺率 0.195 mA
    供電電壓 (Vsup) 1.45 V
    最小供電電壓 (Vsup) 1.283 V
    標稱供電電壓 (Vsup) 1.35 V
    表面貼裝 YES
    技術(shù) CMOS
    溫度等級 OTHER
    端子面層 TIN SILVER COPPER
    端子形式 BALL
    端子節(jié)距 0.8 mm
    端子位置 BOTTOM
    處于峰值回流溫度下的最長時間 30
    寬度 8 mm
    MT28FW02GBBA1HPC-0AAT 1,000
    MT25QU01GBBB8ESF-0SIT 2,792
    MT25QU02GCBB8E12-0SIT 1,089
    MT41K128M16JT-125:K 7,119
    MTFC4GACAJCN-1M WT 4,103
    MT25QU512ABB1EW9-0SIT 3,839
    MT25QL512ABB1EW9-0SIT 3,094
    MTFC4GMWDM-3M AIT A 2,000
    MT41K256M16TW-107 IT:P 3,426
    MT25QU128ABA8ESF-0SIT 5,900 

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