性能特點：
1.采用CSTBTTM硅片技術
2.飽和壓降低、短路承受能力強、驅動功率小
3.比同等級其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%，在相同輸出電流時ΔT(j-f)低15%
4.成本優化的封裝
5.內置導熱性能優異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小
6.模塊內部寄生電感小
7.功率循環能力顯著改善
封裝尺寸
| 型號與規格 | 參數 | 封裝 | 整包裝數 |
| CM100DY-24A | 100A/1200V 兩單元 | 模組 | 9 PCS |
| CM150DY-24A | 150A/1200V 兩單元 | 模組 | 9 PCS |
| CM200DY-24A | 200A/1200V 兩單元 | 模組 | 9 PCS |
| CM300DY-24A | 300A/1200V 兩單元 | 模組 | 6 PCS |
| CM400DY-24A | 400A/1200V 兩單元 | 模組 | 6 PCS |
| CM600DY-24A | 600A/1200V 兩單元 | 模組 | 6 PCS |
| CM50MX-24A | 50A/1200V | 模組 | |
| CM300DX-12A | 300A/600V | 模組 | 3 PCS |