SCONINC變換器SCONI-2DSC-A3B2X,出售大秦 DSTC-4D-1/UCREVIS,MA-A121M-48,12M,48 fps,3.45um x 3.45um,CoaXPress,Mono
CREVIS,MA-A121K-23,12M,23 fps,3.45um x 3.45um,CoaXPress,Color
CREVIS,MA-A121M-23,12M,23 fps,3.45um x 3.45um,CoaXPress,Mono
CREVIS,MA-A890K-66,8.9M,66 fps,3.45um x 3.45um,CoaXPress,Color
CREVIS,MA-A890M-66,8.9M,66 fps,3.45um x 3.45um,CoaXPress,Mono
CREVIS,MA-A500M-116,5M,116 fps,3.45um x 3.45um,CoaXPress,Mono
CREVIS,MA-A500K-116,5M,116 fps,3.45um x 3.45um,CoaXPress,Color
CREVIS,MA-A320K-184,3.2M,184 fps,3.45um x 3.45um,CoaXPress,Color
CREVIS,MA-A320M-184,3.2M,184 fps,3.45um x 3.45um,CoaXPress,Mono
CREVIS,MC-A121K-20,12M,20 fps,3.45um x 3.45um,CameraLink,Color
CREVIS,MC-A121M-20,12M,20 fps,3.45um x 3.45um,CameraLink,Mono
CREVIS,MC-D200C-S,2M,25 fps,4.4um x 4.4um,CameraLink,Color
CREVIS,MC-D200B-S,2M,25 fps,4.4um x 4.4um,CameraLink,Mono
CREVIS,MC-D030C-S,0.3M,130 fps,7.4um x 7.4um,CameraLink,Color
CREVIS,MC-D030B-S,0.3M,130 fps,7.4um x 7.4um,CameraLink,Mono
CREVIS,MC-D030C,0.3M,200 fps,7.4um x 7.4um,CameraLink,Color
CREVIS,MC-D030B,0.3M,200 fps,7.4um x 7.4um,CameraLink,Mono
CREVIS,MG-A201L-5,20M,5 fps,2.4um x 2.4um,GigE Vision,Color
CREVIS,MG-A201R-5,20M,5 fps,2.4um x 2.4um,GigE Vision,Mono
kg/m;K——型式代號:空腹型鋼;T——類組代號:T形電梯對重用導軌。例如:TK5A代表5kg/m帶折邊的T形空心導軌。[3]導軌安裝編輯(1)安裝導軌基礎座①在底坑地面安裝固定導軌槽鋼基礎座。其中心應與轎廂導軌中心線重合。②槽鋼基礎座找平后在槽鋼兩端邊緣各打一條M16螺栓將槽鋼與底坑地面連接固定,底坑如有結構鋼筋也可與鋼筋焊接。槽鋼基礎座水平度誤差不大于1/1000。③槽鋼基礎座位置確定后,用混凝土將其四周灌實抹平。槽鋼基礎座兩端用來固定導軌的角鋼架,先用轎廂導軌中心線找正后,再進行固定。④若導軌下無槽鋼基礎座,可在導軌下邊墊一塊厚度占≥12mm,面積為200mm×200mm的鋼板,并與導軌用電焊點焊。反向峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓,處于反向關斷狀態時,可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時,不能超過手冊給出的這個參數值。觸發電壓VGT在規定的溫度下,陽極---陰極間加有一定電壓時,可控硅從關斷狀態轉為導通狀態所需要的控制極電流和電壓。維持電流IH在規定溫度下,控制極斷路,維持可控硅導通所必需的陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世,如適于高頻應用的快速可控硅,可以用正或負的觸發控制兩個方向導通的雙向可控硅,可以用正觸發使其導通,用負觸發使其關斷的可控硅等等。分類編輯可控硅有多種分類。(一)按關斷、導通及控制分類:可控硅按其關斷、導通及控制可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門極關斷可控硅(GTO)、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。完全關斷同樣開關Q1的時間大約是完全導通時間的48倍。當外部負載或C2在啟動瞬間要汲取較大電流時,快速導通Q1可能使MAX810輸入電壓低于其復位門檻電壓從而復位出現,因此在圖2基礎上再一RC網絡以減緩其開通,地選擇R、C可使負載連接延續到幾個MAX668開關工作周期,使MAX668的輸出電壓一直高于MAX810的復位門檻電壓。假如R、C使Q1的導通時間,同時也了關斷時間。因此需要在電阻上并聯特基二極管,以加速當負載過載時關閉Q1的。為了增強型通道及較低的導通電阻,上述電路均需要采用邏輯電平控制的P溝道MOSFET,如果Q1的導通電阻值較大且在其兩端產生較大的壓降(特別是低輸出電壓應用或負載離電源的距離較遠時)。